SI2325DS-T1-E3, MOSFET P-Channel 150V 0.5

PartNumber: SI2325DS-T1-E3
Ном. номер: 8063993865
Производитель: Vishay
SI2325DS-T1-E3, MOSFET P-Channel 150V 0.5
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 53 руб.
от 100 шт. — 38.50 руб.

Описание

P-Channel MOSFET, up to 3A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SI2325DS-T1-E3 P-channel MOSFET Transistor, 0.53 A, 150 V, 3-pin TO-236

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Single
размеры
3.04 x 1.4 x 1.02mm
высота
1.02mm
длина
3.04mm
Maximum Continuous Drain Current
0.53 A
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.75 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-236
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC@ 10 V
ширина
1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V

Дополнительная информация

Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A