SI2328DS-T1-E3, MOSFET N-Channel 100V 1.1

PartNumber: SI2328DS-T1-E3
Ном. номер: 8105286710
Производитель: Vishay
SI2328DS-T1-E3, MOSFET N-Channel 100V 1.1
Доступно на заказ более 70 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
71 × = 710
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 50 шт. — 48 руб.
от 100 шт. — 34 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 2A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SI2328DS-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 1.15 A, 100 V, 3-pin TO-236

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3.04 x 1.4 x 1.02mm
высота
1.02mm
длина
3.04mm
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Resistance
0.25 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.73 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-236
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
3.3 nC@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
9 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
ширина
1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A