SI3460DDV-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 6.2

PartNumber: SI3460DDV-T1-GE3
Ном. номер: 8051086259
Производитель: Vishay
SI3460DDV-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 6.2
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
29 × = 580
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 300 шт. — 14 руб.
от 600 шт. — 12.35 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
7.9 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.038 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
2.7 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TSOP
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 8 В
Типичная входная емкость при Vds
666 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
21 ns
Типичное время задержки включения
6 нс
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Высота
1mm
Длина
3.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si3460DDV, N-Channel 20V (D-S) MOSFET