SI3993CDV-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 2.6

PartNumber: SI3993CDV-T1-GE3
Ном. номер: 8033540013
Производитель: Vishay
SI3993CDV-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 2.6
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
48 × = 960
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Vishay SI3993CDV-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 30 V, 6-Pin TSOP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Dual
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
2.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.188 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.4 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
TSOP
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
5.2 нКл при -10 В
Типичная входная емкость при Vds
210 пФ при -15 В
Типичное время задержки выключения
14 нс
Типичное время задержки включения
39 ns
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1mm
Длина
3.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si3993CDV, Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET