SI4172DY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 11A

PartNumber: SI4172DY-T1-GE3
Ном. номер: 8037132712
Производитель: Vishay
SI4172DY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 11A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
44 × = 880
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Trans MOSFET N-CH 30V 11A

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
5 x 4 x 1.55мм
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.015 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
4.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
820 pF @ 15 V
Типичное время задержки выключения
16 нс
Типичное время задержки включения
16 ns
Ширина
4mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.55mm
Длина
5mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si4172DY, N-Channel 30V (D-S) MOSFET