SI4532DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.9 А, 30 В, 53 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: SI4532DY
Ном. номер: 8042360999
Производитель: Fairchild Semiconductor
SI4532DY, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 2282 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
120 × = 120
от 25 шт. — 101 руб.
от 50 шт. — 88 руб.

Описание

The SI4532DY is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2454098

Технические параметры

Полярность Транзистора
N и P Канал
Непрерывный Ток Стока
3.9А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.053Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI4532DY