SI4909DY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 40V 6.4

PartNumber: SI4909DY-T1-GE3
Ном. номер: 8050374967
Производитель: Vishay
SI4909DY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 40V 6.4
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
86 × = 1 720
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 100 шт. — 59 руб.
от 500 шт. — 33.02 руб.

Описание

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Vishay SI4909DY-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC

Технические параметры

Номер канала
Поднятие
Материал транзистора
Si
Размеры
5 x 4 x 1.55
Длина
5mm
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Тип корпуса
SOIC
Максимальный непрерывный ток стока
6.5 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.55mm
Количество элементов на ИС
2
Ширина
4mm
Максимальное рассеяние мощности
3.2 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Число контактов
8
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Типичное время задержки выключения
50 ns
Категория
МОП-транзистор РЧ
Типичная входная емкость при Vds
2000 пФ при -20 В
Конфигурация
Dual
Типичный заряд затвора при Vgs
41.5 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
P
Тип монтажа
Surface Mount
Максимальное сопротивление сток-исток
0.034 Ом
Типичное время задержки включения
42 нс

Дополнительная информация

Si4909DY, Dual P-Channel 40V (D-S) MOSFET