SI4909DY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -8 А, -40 В, 0.021 Ом, -10 В, -1.2 В

PartNumber: SI4909DY-T1-GE3
Ном. номер: 8029325086
Производитель: Vishay
SI4909DY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 6654 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
76 × = 76
от 25 шт. — 68 руб.
от 100 шт. — 62 руб.

Описание

The SI4909DY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switches, notebook and desktop PC applications.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2056726

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Непрерывный Ток Стока
-8А
Напряжение Истока-стока Vds
-40В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.021Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.2В
Рассеиваемая Мощность
3.2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI4909DY-T1-GE3