SI5442DU-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 12

PartNumber: SI5442DU-T1-GE3
Ном. номер: 8004804378
Производитель: Vishay
SI5442DU-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 12
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
40 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Trans MOSFET N-CH 20V 12.4A T/R

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Шестиканальный дренаж
Размеры
3.08 x 1.98 x 0.85мм
Максимальный непрерывный ток стока
12.4 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0135 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
31 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK ChipFET
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
29 нКл при 8 В
Типичная входная емкость при Vds
1700 pF @ 10 V
Типичное время задержки выключения
35 ns
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
1.98mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Высота
0.85mm
Длина
3.08mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si5442DU, N-Channel 20V (D-S) MOSFET