SI7164DP-T1-GE3, MOSFET N-Ch 60V 23.5A Pow

PartNumber: SI7164DP-T1-GE3
Ном. номер: 8053595259
Производитель: Vishay
SI7164DP-T1-GE3, MOSFET N-Ch 60V 23.5A Pow
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
400 × = 400

Описание

N-Channel MOSFET, over 30A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SI7164DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 60 V, 8-pin PowerPAK SO

Технические параметры

разрешение
Trench MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Quad Drain, Triple Source
Dimensions
6.25 x 5.26 x 1.12mm
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Resistance
0.00625 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
104 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
PowerPAK SO
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
49.5 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2830 pF@ 30 V
Typical Turn-Off Delay Time
40 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
Width
5.26mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
высота
1.12mm
длина
6.25mm
тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si7164DP, N-Channel 60V (Drain-Source) MOSFET ...