SI7370DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 9.6 А, 60 В, 0.009 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: SI7370DP-T1-GE3
Ном. номер: 8032589778
Производитель: Vishay
SI7370DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 704 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
140 × = 140
от 25 шт. — 126 руб.
от 100 шт. — 115 руб.

Описание

The SI7370DP-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and secondary synchronous rectifier applications.

• New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
• PWM optimized
• Fast switching
• 100% Rg tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2400367

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
9.6А
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.009Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
1.9Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI7370DP-T1-GE3