SI7386DP-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 0.0058 Ом, 10 В, 2 В

PartNumber: SI7386DP-T1-E3
Ном. номер: 8086093454
Производитель: Vishay
SI7386DP-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 456 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
130 × = 130
от 10 шт. — 86 руб.
от 100 шт. — 69 руб.

Описание

The SI7386DP-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.

• Reduced total dynamic gate charge (Qg)
• Fast switching
• PWM optimized for high efficiency
• New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
• 100% Rg tested
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2101459

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
12А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0058Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
1.8Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI7386DP-T1-E3