SI7414DN-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 5.6 А, 60 В, 0.021 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: SI7414DN-T1-E3
Ном. номер: 8068349041
Производитель: Vishay
SI7414DN-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
150 × = 150
от 10 шт. — 126 руб.
от 25 шт. — 105 руб.

Описание

The SI7414DN-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.

• Reduced total dynamic gate charge (Qg)
• Fast switching
• PWM optimized for high efficiency
• New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
• 100% Rg tested
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2396082

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
5.6А
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.021Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
1.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK 1212
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI7414DN-T1-E3