SI7658ADP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 0.0018 Ом, 10 В, 2.5 В

PartNumber: SI7658ADP-T1-GE3
Ном. номер: 8005711206
Производитель: Vishay
SI7658ADP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 239 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
92 × = 92
от 25 шт. — 81 руб.
от 100 шт. — 75 руб.

Описание

The SI7658ADP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for low-side switch for DC-to-DC converter and O-ring applications.

• 100% Rg tested
• 100% Avalanche tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2335371

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
60А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0018Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Рассеиваемая Мощность
5.4Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI7658ADP-T1-GE3