SI9407BDY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 60V 3.2

PartNumber: SI9407BDY-T1-GE3
Ном. номер: 8024002921
Производитель: Vishay
SI9407BDY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 60V 3.2
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
92 × = 1 840
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 100 шт. — 62 руб.

Описание

P-Channel MOSFET, up to 3A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SI9407BDY-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 3.8 A, -60 V, 8-pin SOIC

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Quad Drain, Triple Source
размеры
5 x 4 x 1.55mm
высота
1.55mm
длина
5mm
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Resistance
0.15 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOIC
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC@ -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
600 pF@ -30 V
Typical Turn-Off Delay Time
40 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
ширина
4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1V

Дополнительная информация

Si9407BDY, P-Channel 60V (D-S) MOSFET