SI9933CDY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -4 А, -20 В, 48 мОм, -4.5 В, -1.4 В

PartNumber: SI9933CDY-T1-GE3
Ном. номер: 8010076011
Производитель: Vishay
SI9933CDY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 2876 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
60 × = 60
от 25 шт. — 51 руб.
от 100 шт. — 40 руб.

Описание

The SI9933CDY-T1-GE3 is a -20V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1779275

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Непрерывный Ток Стока
-4А
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.048Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.4В
Рассеиваемая Мощность
3.1Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SI9933CDY-T1-GE3