Добавить к сравнению Сравнить ()

SIA914ADJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.5 А, 20 В, 0.035 Ом, 4.5 В

PartNumber: SIA914ADJ-T1-GE3
Ном. номер: 8052261886
Производитель: Vishay
SIA914ADJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.5 А, 20 В, 0.035 Ом, 4.5 В
Доступно на заказ 2218 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
21 × = 21
от 25 шт. — 19 руб.
от 100 шт. — 16 руб.

Описание

The SIA914ADJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• Thermally enhanced PowerPAK® package
• Small footprint
• Low ON-resistance
• 100% Rg tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SC70
Рассеиваемая Мощность
7.8Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
4.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.035Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В

Дополнительная информация

Datasheet SIA914ADJ-T1-GE3