SIHF18N50D-E3, MOSFET N-Ch 500V 18A Low

PartNumber: SIHF18N50D-E3
Ном. номер: 8005207797
Производитель: Vishay
SIHF18N50D-E3, MOSFET N-Ch 500V 18A Low
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
420 × = 420
от 50 шт. — 210 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 500V 18A Low Cap. TO220FP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.63 x 4.83 x 9.8мм
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.28 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
39 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220FP
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1500 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
36 ns
Типичное время задержки включения
19 ns
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
9.8mm
Длина
10.63mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

SiHF18N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet