SIHF820L-GE3, MOSFET N-Channel 500V 2.5

PartNumber: SIHF820L-GE3
Ном. номер: 8043749990
Производитель: Vishay
SIHF820L-GE3, MOSFET N-Channel 500V 2.5
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 1 100
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 500V 2.5A TO-220AB

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.51 x 4.65 x 15.49мм
Максимальный непрерывный ток стока
2.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
50 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220AB
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл (макс.) при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
360 pF @ 25 V
Типичное время задержки выключения
33 ns
Типичное время задержки включения
8 ns
Ширина
4.65mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
15.49mm
Длина
10.51mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IRF820, SiHF820, Power MOSFET