SIHG065N60E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 40 А, 0.057 Ом, TO-247AC, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 460 руб.
от 5 шт. —
1 360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 460 руб.
Описание
МОП-транзистор 650V Vds;30V Vgs TO-247AC
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Qg - заряд затвора | 74 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 46 ns |
Время спада | 13 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | E |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 54 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AC-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SIHG065N60E-GE3
pdf, 194 КБ
Datasheet SIHG065N60E-GE3
pdf, 127 КБ
Datasheet SIHG065N60E-GE3
pdf, 128 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов