SIHG22N60E-GE3, MOSFET N-Ch 600V 21A Low

PartNumber: SIHG22N60E-GE3
Ном. номер: 8060736120
Производитель: Vishay
SIHG22N60E-GE3, MOSFET N-Ch 600V 21A Low
Доступно на заказ 11 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
370 × = 370

Описание

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SiHG22N60E-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 600 V, 3-pin TO-247AC

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.87 x 5.31 x 20.82mm
высота
20.82mm
длина
15.87mm
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Resistance
0.185 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
227 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247AC
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
57 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1920 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
66 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
ширина
5.31mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

SiHG22N60E, E Series Power MOSFET Data Sheet