SIHG24N65E-GE3, MOSFET N-Channel 650V 24A

PartNumber: SIHG24N65E-GE3
Ном. номер: 8066794455
Производитель: Vishay
SIHG24N65E-GE3, MOSFET N-Channel 650V 24A
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
600 × = 600

Описание

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 650V 24A TO247AC

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Максимальный непрерывный ток стока
24 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.145 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
250 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247AC
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
81 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2740 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
70 нс
Типичное время задержки включения
24 ns
Ширина
5.31mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
20.7mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

SiHG24N65E, E Series Power MOSFET