SIHG32N50D-GE3, MOSFET N-Ch 500V 30A Low

PartNumber: SIHG32N50D-GE3
Ном. номер: 8027498379
Производитель: Vishay
SIHG32N50D-GE3, MOSFET N-Ch 500V 30A Low
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
690 × = 690

Описание

N-Channel MOSFET, over 30A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SiHG32N50D-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 500 V, 3-pin TO-247AC

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.87 x 5.31 x 20.82mm
высота
20.82mm
длина
15.87mm
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Resistance
0.15 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
390 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247AC
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2550 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
58 ns
Typical Turn-On Delay Time
27 ns
ширина
5.31mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

SiHG32N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet