SIHG33N60EF-GE3, MOSFET 600V 33A w/Fast Di

PartNumber: SIHG33N60EF-GE3
Ном. номер: 8054744454
Производитель: Vishay
SIHG33N60EF-GE3, MOSFET 600V 33A w/Fast Di
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
640 × = 640
от 25 шт. — 280 руб.
от 100 шт. — 237.40 руб.

Описание

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET 600V 33A w/Fast Diode TO-247AC

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.82мм
Максимальный непрерывный ток стока
33 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.098 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
278 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247AC
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
103 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3454 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
161 нс
Типичное время задержки включения
28 ns
Ширина
5.31mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
12s
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
20.82mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

SiHG33N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast ...