SIHG70N60EF-GE3, MOSFET 600V 70A w/Fast Di

PartNumber: SIHG70N60EF-GE3
Ном. номер: 8065750781
Производитель: Vishay
SIHG70N60EF-GE3, MOSFET 600V 70A w/Fast Di
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
910 × = 910

Описание

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET 600V 70A w/Fast Diode TO-247AC

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.82
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.038 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
520 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247AC
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
253 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
7500 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
257 нс
Типичное время задержки включения
56 ns
Ширина
5.31
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
25s
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
20.82mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

SiHG70N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast ...