SIHP15N60E-GE3, MOSFET N-Ch 600V 15A Low

PartNumber: SIHP15N60E-GE3
Ном. номер: 8084331967
Производитель: Vishay
SIHP15N60E-GE3, MOSFET N-Ch 600V 15A Low
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
320 × = 320

Описание

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SIHP15N60E-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 15 A, 600 V, 3-pin TO-220AB

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.51 x 4.65 x 9.01mm
высота
9.01mm
длина
10.51mm
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Resistance
0.28 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
180 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1350 pF@ 100 V
Typical Turn-Off Delay Time
41 ns
Typical Turn-On Delay Time
16 ns
ширина
4.65mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

SiHP15N60E, E Series Power MOSFET Data Sheet