SIHP30N60E-GE3, MOSFET N-Channel 600V 29A

PartNumber: SIHP30N60E-GE3
Ном. номер: 8111419454
Производитель: Vishay
SIHP30N60E-GE3, MOSFET N-Channel 600V 29A
Доступно на заказ 3 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
600 × = 600

Описание

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SiHP30N60E-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 600 V, 3-pin TO-220AB

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
10.51 x 4.65 x 15.49mm
высота
15.49mm
длина
10.51mm
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Resistance
0.125 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
250 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2600 pF@ 100 V
Typical Turn-Off Delay Time
63 ns
Typical Turn-On Delay Time
19 ns
ширина
4.65mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

SiHP30N60E, E Series Power MOSFET