SIHP8N50D-GE3, MOSFET N-Ch 500V 8.7A Low

PartNumber: SIHP8N50D-GE3
Ном. номер: 8004903426
Производитель: Vishay
SIHP8N50D-GE3, MOSFET N-Ch 500V 8.7A Low
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Vishay SIHP8N50D-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 8.7 A, 500 V, 3-pin TO-220AB

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.51 x 4.65 x 9.01mm
высота
9.01mm
длина
10.51mm
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Resistance
0.85 Ω
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
156 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
527 pF@ 100 V
Typical Turn-Off Delay Time
17 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
ширина
4.65mm
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

SiHP8N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet