SIHU5N50D-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 500 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: SIHU5N50D-GE3
Ном. номер: 8019672519
Производитель: Vishay
SIHU5N50D-GE3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 1836 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
52 × = 52
от 25 шт. — 48 руб.
от 100 шт. — 44 руб.

Описание

The SIHU5N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.

• Low area specific ON-resistance
• Low input capacitance (CISS)
• Reduced capacitive switching losses
• High body diode ruggedness
• Avalanche energy rated (UIS)
• Simple gate drive circuitry
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Fast switching
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2283625

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
5.3А
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
104Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-251
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Линия Продукции
D Series
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SIHU5N50D-GE3