SIR412DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 25V 13

PartNumber: SIR412DP-T1-GE3
Ном. номер: 8037322480
Производитель: Vishay
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
48 × = 960
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Vishay SIR412DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 13.4 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж
Размеры
6.25 x 5.26 x 1.12мм
Максимальный непрерывный ток стока
13.4 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.015 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
15.6 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK SO
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
10.7 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
600 pF @ 10 V
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки включения
13 ns
Ширина
5.26mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.12mm
Длина
6.25mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiR412DP, N-Channel 25V (D-S) MOSFET