SIR424DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 23

PartNumber: SIR424DP-T1-GE3
Ном. номер: 8050009180
Производитель: Vishay
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
53 × = 1 060
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 300 шт. — 38 руб.
от 600 шт. — 31.82 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Vishay SIR424DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 23 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK SO

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж
Размеры
6.25 x 5.26 x 1.12мм
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0074 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
41.7 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK SO
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1250 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
23 ns
Типичное время задержки включения
18 ns
Ширина
5.26mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.12mm
Длина
6.25mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiR424DP, N-Channel 20V (D-S) MOSFET