SIR462DP-T1-GE3, Транзистор MOSFET N-CH 30В 18.9А [[PowerPAK SO-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
81 руб.
от 15 шт. —
72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 81 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
Pd - рассеивание мощности | 41.7 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9 ns |
Время спада | 9 ns |
Высота | 1.04 mm |
Длина | 6.15 mm |
Другие названия товара № | SIR462DP-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SIR |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 25 ns |
Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
Ширина | 5.15 mm |
Вес, г | 0.223 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 88 КБ
Datasheet SIR462DP-T1-GE3
pdf, 306 КБ
sir462dp
pdf, 307 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов