SIR846ADP-T1-GE3, MOSFET N-Ch 100V 18.6A Po

PartNumber: SIR846ADP-T1-GE3
Ном. номер: 8045414031
Производитель: Vishay
SIR846ADP-T1-GE3, MOSFET N-Ch 100V 18.6A Po
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 100V 18.6A PowerPAK SO8

Технические параметры

Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.12mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0095 Ом
Типичное время задержки включения
14 нс
Номер канала
Enhancement
Тип корпуса
PowerPAK SO
Размеры
6.25 x 5.26 x 1.12
Длина
6.25mm
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.26mm
Максимальное рассеяние мощности
83 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Число контактов
8
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Типичное время задержки выключения
28 ns
Категория
МОП-транзистор с щелевой структурой
Типичная входная емкость при Vds
2350 пФ при 50 В
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Типичный заряд затвора при Vgs
33 нКл при 7.5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiR846ADP, N-Channel 100V (Drain-Source) ...