SIR862DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 25V 32A

PartNumber: SIR862DP-T1-GE3
Ном. номер: 8015692465
Производитель: Vishay
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
91 × = 910
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Vishay SIR862DP-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 32 A, 25 V, 8-Pin PowerPAK SO

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
5.99 x 5 x 1.12мм
Максимальный непрерывный ток стока
32 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0035 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK SO
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3800 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
39 ns
Типичное время задержки включения
28 ns
Ширина
5mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.12mm
Длина
5.99mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiR862DP, N-Channel 25V (D-S) MOSFET