SIRA00DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 30 В, 830 мкОм, 10 В, 1.1 В

PartNumber: SIRA00DP-T1-GE3
Ном. номер: 8083353787
Производитель: Vishay
SIRA00DP-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 882 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
140 × = 140
от 25 шт. — 123 руб.
от 100 шт. — 113 руб.

Описание

The SIRA00DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification, O-ring, high power density DC-to-DC, VRMs and embedded DC-to-DC applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2114701

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
60А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
830мкОм
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.1В
Рассеиваемая Мощность
104Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAK SO
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SIRA00DP-T1-GE3