SIS476DN-T1-GE3, MOSFET N-Ch 30V 28.6A Pow

PartNumber: SIS476DN-T1-GE3
Ном. номер: 8019622147
Производитель: Vishay
SIS476DN-T1-GE3, MOSFET N-Ch 30V 28.6A Pow
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
98 × = 490
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 55 руб.
от 250 шт. — 40.36 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 30V 28.6A PowerPAK 1212-8

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.12
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0035 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 В, -16 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
52 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
51 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3595 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
30 ns
Типичное время задержки включения
24 ns
Ширина
3.4mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.12mm
Длина
3.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiS476DN, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET ...