SIZ918DT-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 28 А, 30 В, 0.01 Ом, 10 В, 1.2 В

PartNumber: SIZ918DT-T1-GE3
Ном. номер: 8002213680
Производитель: Vishay
SIZ918DT-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 1507 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
70 × = 70
от 25 шт. — 64 руб.
от 100 шт. — 59 руб.

Описание

The SIZ918DT-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power, POL and synchronous buck converter applications.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2283687

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Непрерывный Ток Стока
28А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.01Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.2В
Рассеиваемая Мощность
100Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PowerPAIR
Количество Выводов
10вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet SIZ918DT-T1-GE3