SK25GAL063, IGBT module 30

PartNumber: SK25GAL063
Ном. номер: 8017163322
Производитель: Semikron
SK25GAL063, IGBT module 30
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
2 560 × = 2 560
от 5 шт. — 1 820 руб.
от 10 шт. — 1 529 руб.

Описание

IGBT Modules, Semikron
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.

IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
Semikron, SK25GAL063, IGBT Module, N-channel, 30 A max, 600 V, 4-pin SEMITOP®1

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
31 x 24 x 15.43mm
высота
15.43mm
длина
31mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
тип упаковки
SEMITOP®1
Pin Count
4
ширина
24mm

Дополнительная информация

SK 25 GAL 063 IGBT Module