SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А

Артикул: SKM100GB125DN
Ном. номер: 105219695
Производитель: Semikron
Фото 1/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Фото 2/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200АФото 3/3 SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
9 620 × = 9 620
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 8 790 руб.
от 5 шт. — 7 860 руб.

Описание

IGBT Modules, Semikron
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.

IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
Semikron, SKM100GB125DN, IGBT Module, N-channel, Dual, 100 A max, 1200 V, 7-pin SEMITRANS®2

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Dual
размеры
94.5 x 34.5 x 30.5mm
высота
30.5mm
длина
94.5mm
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
тип упаковки
SEMITRANS®2
Pin Count
7
ширина
34.5mm

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB125DN
SKM 100 GB 125 DN Thyristor / Diode Modules ...