SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

41 шт. со склада г.Москва

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

20 740 руб.

от 5 шт. — 20 090 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 740 руб.

Номенклатурный номер: 105219695

Артикул: SKM100GB125DN

Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93

Структура	полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	100
Рабочая температура (Tj), °C	-40…+150
Корпус	D-93
Структура	полумост
Наличие схем управления/защиты в составе модуля	Нет
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Максимально допустимый импульсный ток э,А	400
Прямое падение напряжения коллектор-эмиттер 125С,В	2.5
Температурный диапазон,С	-40…150
Вес, г	160