SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А

Артикул: SKM100GB125DN
Ном. номер: 105219695
Производитель: Semikron
SKM100GB125DN, Модуль 2хIGBT 1200В 200А
Доступно на заказ 14 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
9 140 × = 9 140
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 8 040 руб.
от 10 шт. — 7 100 руб.

Описание

The SKM100GB125DN is a 1200V N-channel Ultra Fast IGBT Module with fast and soft inverse CAL diodes. This transistor is ideal for resonant inverters up to 100kHz and Electronic welders as well inductive heating.

• Low inductance
• Short tail current with low temperature dependence
• High short circuit capability
• Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology
• Large clearance (10mm) and creepage distances (20mm)

Код: 2423681

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной N Канал
DC Ток Коллектора
100А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
3.3В
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Техническая документация

Datasheet SKM100GB125DN
pdf, 665 КБ

Дополнительная информация

Datasheet SKM100GB125DN