SKM150GB12T4, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 232 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Фото 1/6 SKM150GB12T4, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 232 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
26 650 руб.
от 5 шт.24 980 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 650 руб.
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8316942049
Артикул: SKM150GB12T4

Описание

Описание Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 179А, Ifsм 450А, SEмITrans2

Технические параметры

кол-во в упаковке 8
Channel Type N
Configuration Dual Half Bridge
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 232 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Panel Mount
Package Type SEMITRANS2
Pin Count 7
Transistor Configuration Series
Вес, г 325

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.