SKM195GB066D, IGBT module dual SKM195GB

PartNumber: SKM195GB066D
Ном. номер: 8054411546
Производитель: Semikron
SKM195GB066D, IGBT module dual SKM195GB
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
8 130 × = 8 130
или
купить в 1 клик
от 2 шт. — 7 340 руб.
от 5 шт. — 6 656 руб.

Описание

IGBT Modules, Semikron
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.

IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT модули /
Semikron, SKM195GB066D, IGBT Module, N-channel, Dual, 265 A max, 600 V, 7-pin SEMITRANS®2

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Dual
размеры
94 x 34 x 30.5mm
высота
30.5mm
длина
94mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
265 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Screw
тип упаковки
SEMITRANS®2
Pin Count
7
ширина
34mm

Дополнительная информация

Datasheet