SKM400GB125D, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 400 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module

PartNumber: SKM400GB125D
Ном. номер: 8077057875
Производитель: Semikron
SKM400GB125D, БТИЗ массив и модульный ...
Доступно на заказ 23 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
Бесплатная доставка по городам Москва, Санкт-Петербург, Краснодар, Нижний Новгород
28 850 × = 28 850
или
купить в 1 клик
от 5 шт. — 25 400 руб.
от 10 шт. — 22 900 руб.

Описание

The SKM400GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.

• Low inductance case
• High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
• Fast and soft inverse CAL diodes
• Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули
Код: 2423700

Технические параметры

Полярность Транзистора
Двойной N Канал
DC Ток Коллектора
400А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
3.3В
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора
Module
Количество Выводов
7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet SKM400GB125D