SKW20N60, Transistor IGBT N-Ch 600V

PartNumber: SKW20N60
Ном. номер: 8040834693
Производитель: Infineon Technologies
SKW20N60, Transistor IGBT N-Ch 600V
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
460 × = 460
от 10 шт. — 260 руб.
от 20 шт. — 218.50 руб.
Есть аналоги

Описание

IGBT Discretes, Infineon

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon SKW20N60 N-channel IGBT Transistor, 40 A 600 V, 3-pin TO-247

Технические параметры

Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.9 x 5.3 x 20.95mm
высота
20.95mm
длина
15.9mm
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
ширина
5.3mm

Дополнительная информация

Datasheet