Добавить к сравнению Сравнить ()

SKW20N60, Fast IGBT

Артикул: SKW20N60
Ном. номер: 9020004934
Производитель: Infineon Technologies
SKW20N60, Fast IGBT
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
450 × = 450
от 10 шт. — 250 руб.

Описание

IGBT Discretes, Infineon

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon SKW20N60 N-channel IGBT Transistor, 40 A 600 V, 3-pin TO-247

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.9
Управляющее напряжение,В
5
Мощность макс.,Вт
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Дополнительная информация

Datasheet SKW20N60
Datasheet
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов