Добавить к сравнению Сравнить ()

SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]

Артикул: SKW30N60HS (K30N60HS)
PartNumber: SP000013744 SKW30N60HSFKSA1
Ном. номер: 9000189626
Производитель: Infineon Technologies
SKW30N60HS (K30N60HS), Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
300 × = 300
от 5 шт. — 270 руб.
от 50 шт. — 252 руб.
Цена и наличие в магазинах

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.8
Управляющее напряжение,В
4
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

Infineon-SKW30N60HS-DS
pdf, 348 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов