SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP]
![Фото 1/3 SPA07N60C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 7.3А [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/128/DOC004128211.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 15 шт. —
306 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.3 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/4.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32 | |
| Крутизна характеристики, S | 6 | |
| Корпус | TO-220FP | |
| Особенности | высоковольтный | |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5 | |
| Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 620 КБ
Datasheet SPP07N60C3, SPI07N60C3, SPA07N60C3
pdf, 702 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
