SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]
![Фото 1/7 SPA11N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 11А[TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330200.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
от 15 шт. —
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.45 Ом/7.1А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
| Корпус | TO-220FP | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1…3.9 | |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
