Добавить к сравнению Сравнить ()

SPP11N80C3, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]

Артикул: SPP11N80C3
PartNumber: SP000683158 SPP11N80C3XKSA1
Ном. номер: 9020004345
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 SPP11N80C3, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]
Фото 2/3 SPP11N80C3, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]Фото 3/3 SPP11N80C3, Транзистор, N-канал 800В 11А [TO-220AB]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
130 × = 130
от 25 шт. — 110 руб.
от 250 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

Infineon CoolMOS™ Power MOSFET Family

This Range of MOSFET Transistors by Infineon combines all benefits of fast switching Superjunction MOSFETs with the ease of use. Such as low area specific on-state resistance and reduced energy stored in output capacitance, the 500V CoolMOS™ CE series provides a high body diode ruggedness, achieves extremely low conduction and switching losses and can make switching applications more efficient, more compact, lighter and cooler.

Reduced energy stored in output capacitance
High body diode ruggedness (E oss)
Reduced reverse recovery charge (Q rr)
Reduced gate charge (Q g)
Easy control of switching behaviour

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
450
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2.1…3.9

Дополнительная информация

Datasheet SPP11N80C3 SP000683158 SPP11N80C3XKSA1
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов