SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247]
![Фото 1/5 SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 руб.
от 15 шт. —
518 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 580 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.28 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 | |
| Крутизна характеристики, S | 14 | |
| Корпус | PG-TO247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 760 КБ
Datasheet SPW16N50C3FKSA1
pdf, 760 КБ
Datasheet SPW16N50C3
pdf, 755 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
