SPW32N50C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 560В 32А [TO-247]
![Фото 1/3 SPW32N50C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 560В 32А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 руб.
от 15 шт. —
1 140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 руб.
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.11 Ом/20А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 284 | |
| Корпус | PG-TO247 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 822 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SPW32N50C3FKSA1
pdf, 822 КБ
Datasheet SPW32N50C3FKSA1
pdf, 816 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
